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                位置:51电子网 » 电子资讯 » 行业分析

                标准的CMOS逻辑工艺生产出64M位铁电RAM(FRAM)芯片

                发布时间:2021/10/10 22:22:57 访问次数:1916

                标准的cmos逻辑工艺生产出64m位铁电ram(fram)芯片,能代替各种应用的嵌入式闪存和嵌入式dram。

                同一芯片上有嵌入式存储器和处理器,外设和其它元件将会降低元件数量和系统复杂性,增加系统性能和数据安全。ti公司认为,fram比其它的嵌入式存储器的制造成本低,功耗也低。

                ti公司所生产@ 的64m位fram有最小的fram单元,仅为0.52平方微米。fram有快速存⊙取时间,低功耗,小单ㄨ元面积和低制造成本「,使它能用来存储程序和数据,非常适合用在无线领域。

                其它的潜在市场包括有宽带接入,消费类电子和ti公司的大〖量的可编程dsp。

                制造商:microchip产品种类:以太网 icrohs: 安装风格:smd/smt封装 / 箱体:sqfn-72产品:ethernet controllers标准:10base-te, 100base-tx, 1gbase-t收发器数量:1 transceiver数据速率:10 mb/s, 100 mb/s, 1 gb/s, 2.5 gb/s接口类型:pcie工作电源电压:1.2 v最小工作温度:0 c最大工作温度:+ 70 c系列:封装:reel商标:microchip technology电源电流—最大值:284 ma双工:full-duplex, half-duplex湿度敏感性√:yespd-功率耗散:936 mw产品类型:ethernet ics3000子类别:communication & networking ics电源电压-最大:1.32 v电源电压-最小:1.14 v

                超紧凑型x2电容器,额定工作电压╱为 275 v ac,容值范围为33 nf ~ 1 μf。

                且各型号具→有不同的引线间距,分别为 10 mm (b32921x* / y*)、15 mm (b32922x* / y*) 和 22.5 mm (b32923x* / y*),具体视容值而定。

                新元件的一大亮点是超紧凑的尺寸,仅为4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nf) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 μf),具体同样取决于容值。该型电容器通过ul、en和iec 60384-14:2013标准认证,采用阻燃等级为ul 94 v-0的外壳和灌封材料,最高工作温度可达110 °c。


                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

                标准的cmos逻辑工艺生产出64m位铁电ram(fram)芯片,能代替各种应用的嵌入式闪存和嵌入式dram。

                同一芯片上有嵌入式存储器和处理器,外设和其它元件将会降低元件数量和系统复杂性,增加系统性能和数据安全。ti公司认为,fram比其它的嵌入式存储器的制造成本低,功耗也低。

                ti公司所生产的64m位fram有最小的fram单元,仅为0.52平方微米。fram有快速存取时间,低功耗,小单№元面积和低制造成本,使它能用来存储程序和数据,非常适合用在无线领域。

                其它的潜在市场包括有宽带接入,消费类电子和ti公司的大ㄨ量的可编程dsp。

                制造商:microchip产品种类:以太网 icrohs: 安装风格:smd/smt封装 / 箱体:sqfn-72产品:ethernet controllers标准:10base-te, 100base-tx, 1gbase-t收发器数量:1 transceiver数据速率:10 mb/s, 100 mb/s, 1 gb/s, 2.5 gb/s接口类型:pcie工作电源电压:1.2 v最小工作温度:0 c最大工作温度:+ 70 c系列:封装:reel商标:microchip technology电源电流—最大值:284 ma双工:full-duplex, half-duplex湿度敏感性:yespd-功率耗散:936 mw产品类型:ethernet ics3000子类别:communication & networking ics电源电压-最大:1.32 v电源电压-最小:1.14 v

                超紧凑型x2电容器,额定工作电压为 275 v ac,容值范围为33 nf ~ 1 μf。

                且各型号具有不同的引线间距,分别为 10 mm (b32921x* / y*)、15 mm (b32922x* / y*) 和 22.5 mm (b32923x* / y*),具体视容值而定。

                新元件的一大亮点是超紧凑的尺寸,仅为4.0 × 9.0 × 13.0 mm (33 nf) ~ 10.5 × 16.5 × 26.5 mm (1 μf),具体同样取决于容值。该型电容器通过ul、en和iec 60384-14:2013标准认证,采用阻燃等级为ul 94 v-0的外壳和灌封材料,最高工作温度可达110 °c。


                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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