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                位置:51电子网 » 技术资料 » 集成电路

                Ic电流在3A到4.5A之间线和负载调整分别为0.06%和0.025%

                发布时间:2021/10/11 23:35:22 访问次数:384

                晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本,封装尺【寸为3x2x0.9mm,比通常的SM8封装小88%。

                双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间,1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat) 在47 和104 mW,额定电压ω有12,20和40V三种。

                MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间,导通电阻RDS(on) 在180 和900 mW之间, 漏源◣击穿电压BVDSS 在0 和40 V之间。

                产品种类: MOSFET

                技术: Si

                安装风格: SMD/SMT

                封装 / 箱体: HSOF-8

                晶体管极性: N-Channel

                通道数量: 1 Channel

                Vds-漏源极击穿电压: 600 V

                Id-连续漏极ω 电流: 75 A

                Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

                Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

                Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

                Qg-栅极电荷: 123 nC

                最小工作温度: - 55 C

                最大工◆作温度: + 150 C

                Pd-功率耗散: 391 W

                通道模式: Enhancement

                封装: Reel

                配置: Single

                商标: Infineon Technologies

                下降时间: 2.8 ns

                产品类型: MOSFET

                上升时间: 9 ns

                子类别: MOSFETs

                典型关闭延√迟时间: 100 ns

                典型接通延迟时间: 28 ns

                单位重量: 771.020 mg

                价格低于$20的高压应用的DC/DC转换器SIP90,输出电压从低于10V到90V,输出电※流高达1mA。很适合用在雪崩光◥电二极管偏压中,它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。

                转换器的输入电压从」2.7V 到6.7V,可编程电压从0V到4.5V。

                它的■波纹电压小于2 mVp-p,线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。显在可提供█产品。

                该器件的封装进一步降低了热阻,使PC板面积上电流处理能力增加了三倍。


                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

                晶体管/肖特基二极管组合封装器件ZX3CD和ZXMxS系列,有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP双极管不同版本,封装尺寸为3x2x0.9mm,比通常的SM8封装小88%。

                双极器件的指标包括有Ic电流在3A到4.5A之间,1A时的饱和压降VCE(sat)在140和20mV之间和饱和电阻RCE(sat) 在47 和104 mW,额定电压有12,20和40V三种。

                MOSFET的指标包括有漏极电流Id在0.3-2A之间,导通电阻RDS(on) 在180 和900 mW之间, 漏源击穿电压BVDSS 在0 和40 V之间。

                产品种类: MOSFET

                技术: Si

                安装风格: SMD/SMT

                封装 / 箱体: HSOF-8

                晶体管极性: N-Channel

                通道数量: 1 Channel

                Vds-漏源极击穿电压: 600 V

                Id-连续漏极电∴流: 75 A

                Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

                Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

                Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

                Qg-栅极电荷: 123 nC

                最小工作温度: - 55 C

                最大工作温度: + 150 C

                Pd-功率耗散: 391 W

                通道模式: Enhancement

                封装: Reel

                配置: Single

                商标: Infineon Technologies

                下降时间: 2.8 ns

                产品类型: MOSFET

                上升时间: 9 ns

                子类别: MOSFETs

                典型关闭延迟时间: 100 ns

                典型接通延迟时间: 28 ns

                单位重量: 771.020 mg

                价格低于$20的高压应用的DC/DC转换器SIP90,输出电压从低于10V到90V,输出电︾流高达1mA。很适合用在雪崩光电二极管偏压中,它的占位面积仅为29.2x4.06mm,高度为13.97mm。

                转换器的输入电压从2.7V 到6.7V,可编程电压从0V到4.5V。

                它的波纹电压小于2 mVp-p,线和负载调整分别为0.06% 和0.025%。温度系数低于200ppm/度。加电后输出功率变化每小时小于0.01%。显在可提供产品。

                该器件的封装进一步降低了热阻,使PC板面积上电流处理能力增加了三倍。


                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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