开心彩票网

  • <tr id='k5lOJF'><strong id='k5lOJF'></strong><small id='k5lOJF'></small><button id='k5lOJF'></button><li id='k5lOJF'><noscript id='k5lOJF'><big id='k5lOJF'></big><dt id='k5lOJF'></dt></noscript></li></tr><ol id='k5lOJF'><option id='k5lOJF'><table id='k5lOJF'><blockquote id='k5lOJF'><tbody id='k5lOJF'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='k5lOJF'></u><kbd id='k5lOJF'><kbd id='k5lOJF'></kbd></kbd>

    <code id='k5lOJF'><strong id='k5lOJF'></strong></code>

    <fieldset id='k5lOJF'></fieldset>
          <span id='k5lOJF'></span>

              <ins id='k5lOJF'></ins>
              <acronym id='k5lOJF'><em id='k5lOJF'></em><td id='k5lOJF'><div id='k5lOJF'></div></td></acronym><address id='k5lOJF'><big id='k5lOJF'><big id='k5lOJF'></big><legend id='k5lOJF'></legend></big></address>

              <i id='k5lOJF'><div id='k5lOJF'><ins id='k5lOJF'></ins></div></i>
              <i id='k5lOJF'></i>
            1. <dl id='k5lOJF'></dl>
              1. <blockquote id='k5lOJF'><q id='k5lOJF'><noscript id='k5lOJF'></noscript><dt id='k5lOJF'></dt></q></blockquote><noframes id='k5lOJF'><i id='k5lOJF'></i>
                位置:51电子网 » 技术资料 » 家用电器

                新的UnitedSiC SiC FET凭借在开关效率和导通电阻方面的改进

                发布时间:2021/10/11 23:46:35 访问次数:63

                通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器,为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。

                VL53L5CX传感器可为多目标检测应用提供多达64个测距区,每区最长测量距离达 4 米,还提≡供对角线视场角63°的宽广矩形视场。

                新传感器采用意法半导体经过市场检验的直方图处理技术,大幅降低∩盖板串扰的影响,可以轻松集成并隐藏在各种面板后面。

                新的运动指示创新功能还可让传感器检测目标是否移动过◤。

                产品种类: MOSFET

                RoHS: 详细信息

                技术: Si

                安装风格: SMD/SMT

                封装 / 箱体: HSOF-8

                晶体管极性: N-Channel

                通道数量: 1 Channel

                Vds-漏源极击穿电压: 80 V

                Id-连续漏极电流: 169 A

                Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms

                Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

                Vgs th-栅源极阈值◣电压: 2.2 V

                Qg-栅极电荷: 87 nC

                最小工作温度: - 55 C

                最大工作温度: + 175 C

                Pd-功率耗散: 167 W

                通道模式: Enhancement

                封装: Cut Tape

                封装: Reel

                配置: Single

                晶体管类型: 1 N-Channel

                商标: Infineon Technologies

                正向跨导 - 最小值: 75 S

                下降时间: 13 ns

                产品类型: MOSFET

                上升时间: 12 ns

                工厂包装ㄨ数量: 2000

                子类别: MOSFETs

                典型关闭延迟≡时间: 42 ns

                典型接通延迟时间: 20 ns

                零件号别名: IPT029N08N5 SP001581494

                单位重量: 771.020 mg

                新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最〇新改进,非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动『汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率︽转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

                成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

                UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中♀的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。

                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



                通用多区测距FlightSense™ 飞行时间传感器,为各种消费电子和工业产品带来精密的测距解决方案。

                VL53L5CX传感器可为多目标检测应用提供多达64个测距区,每区最长测量距离达 4 米,还提供对角线视场角63°的宽广矩形视场。

                新传感器采用意法半导体经过市场检验的直方图处理技术,大幅降低盖板串扰的影响,可以轻松集成并隐藏在各种面板后面。

                新的运动指示创新功能还可让传感器检测目标是否移动过。

                产品种类: MOSFET

                RoHS: 详细信息

                技术: Si

                安装风格: SMD/SMT

                封装 / 箱体: HSOF-8

                晶体管极性: N-Channel

                通道数量: 1 Channel

                Vds-漏源极击穿电压: 80 V

                Id-连续漏极电流: 169 A

                Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms

                Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

                Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

                Qg-栅极电荷: 87 nC

                最小工作温度: - 55 C

                最大工作温度: + 175 C

                Pd-功率耗散: 167 W

                通道模式: Enhancement

                封装: Cut Tape

                封装: Reel

                配置: Single

                晶体管类型: 1 N-Channel

                商标: Infineon Technologies

                正向跨导 - 最小值: 75 S

                下降时间: 13 ns

                产品类型: MOSFET

                上升时间: 12 ns

                工厂包装数量: 2000

                子类别: MOSFETs

                典型关闭延迟时间: 42 ns

                典型接通延迟时间: 20 ns

                零件号别名: IPT029N08N5 SP001581494

                单位重量: 771.020 mg

                新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进,非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

                成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

                UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。

                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



                相关IC型号

                热门点击

                 

                推荐技术资料

                PCB布线要点
                整机电路图见图4。将电路画好、检查无误之后就开始... [详细]
                版权所有:51dzw.COM
                深圳服务热线:+86-0755-83030533   13751165337
                粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
                公网安备44030402000607
                深圳市碧威特网络技术有限公司