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                位置:51电子网 » 技术资料 » 可编程技□术

                高性能在光收发器和光线路卡的1:1CDR芯片具有集成ESD保护

                发布时间:2021/10/11 23:48:47 访问次数:69

                UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构,其内部集成了一】个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。

                这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实现高速和低损耗以及高温工作,同时还可保持简▃单、稳定和鲁棒的↘栅极驱动,并具有集成的ESD保护。

                这些优势可♀通过品质因数(FoM)进行量化,例如RDS(on)×A,这个指标衡量了每【单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上,第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。

                产品种类: MOSFET

                RoHS: 详细信息

                技术: Si

                安装风格: SMD/SMT

                封装 / 箱体: HSOF-8

                晶体々管极性: N-Channel

                通道数量: 1 Channel

                Vds-漏源极击穿电压: 150 V

                Id-连续漏极电流: 155 A

                Rds On-漏源↙导通电阻: 5.9 mOhms

                Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

                Vgs th-栅源》极阈值电压: 2 V

                Qg-栅极电荷: 69 nC

                最小工作温度♂: - 55 C

                最大工作◣温度◣: + 175 C

                Pd-功率耗散: 375 W

                通道模式: Enhancement

                商标名: OptiMOS

                封装: Cut Tape

                封装: MouseReel

                封装: Reel

                配置: Single

                高度: 2.4 mm

                长度: 10.58 mm

                系列: OptiMOS 3

                晶体管类▅型: 1 N-Channel

                宽度: 10.1 mm

                商标: Infineon Technologies

                正向跨导 - 最小值: 86 S

                下降时间: 14 ns

                产品类型: MOSFET

                上升时间: 35 ns

                工厂包装数≡量: 2000

                子类别: MOSFETs

                典⊙型关闭延迟时间: 46 ns

                典型接通←延迟时间: 25 ns

                零件号◇别名: IPT059N15N3 SP001100162

                单位重量: 771.020 mg

                新型光㊣网络元件XFP系列和XPAK/X2以及XENPAK元件。

                XFP元件包括有Intel® LXT16713 10Gbps 1:1时钟@和数据恢复(CDR)器件。Intel公司是首家提供高性能╱用在光收发器和光线路卡的1:1CDR芯片。

                CDR帮助收发器在网络上ω 准确地取样光信号。

                该器件是协】议诊断,工作在9.95-11.1Gbps,包括有集成的高灵敏度限幅放大器,用来放大电信号。Luminent 公司正在用XFP MSA开发光收发@ 器。


                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

                UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构,其内部集成了¤一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。

                这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实现高速和低损耗以及高温工作,同时还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动,并具有集成的ESD保护。

                这些优势可通◤过品质因数(FoM)进行量化,例如RDS(on)×A,这个指标衡量了每单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上,第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。

                产品种类: MOSFET

                RoHS: 详细信息

                技术: Si

                安装风格: SMD/SMT

                封装 / 箱体: HSOF-8

                晶体管极性: N-Channel

                通道数量: 1 Channel

                Vds-漏源极击穿电压: 150 V

                Id-连续漏极电流: 155 A

                Rds On-漏源导通电阻: 5.9 mOhms

                Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

                Vgs th-栅源极阈╲值电压: 2 V

                Qg-栅极电荷: 69 nC

                最小工作温度: - 55 C

                最大工作温度: + 175 C

                Pd-功率耗散: 375 W

                通道模式: Enhancement

                商标名: OptiMOS

                封装: Cut Tape

                封装: MouseReel

                封装: Reel

                配置: Single

                高度: 2.4 mm

                长度: 10.58 mm

                系列: OptiMOS 3

                晶体管类型: 1 N-Channel

                宽度: 10.1 mm

                商标: Infineon Technologies

                正向跨导 - 最小值: 86 S

                下降时间: 14 ns

                产品类型: MOSFET

                上升时间: 35 ns

                工厂包装数量: 2000

                子类别: MOSFETs

                典型关闭延迟时间: 46 ns

                典型接▽通延迟时间: 25 ns

                零件号别名: IPT059N15N3 SP001100162

                单位重量: 771.020 mg

                新型光网络元↙件XFP系列和XPAK/X2以及XENPAK元件。

                XFP元件包括有Intel® LXT16713 10Gbps 1:1时钟和数据恢复(CDR)器件。Intel公司是首家提供高性能卐用在光收发器和光线路卡的1:1CDR芯片。

                CDR帮助收发器在网络上准确地取样光信号。

                该器件是协议▽诊断,工作在9.95-11.1Gbps,包括有集成的高灵敏度限幅放大器,用来放大电信号。Luminent 公司正在用XFP MSA开发光收发器。


                (素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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